2SB1218A-Q BQ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~260 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor For general amplification Complementary to 2SD1819A Features High foward current transfer ratio hFE. S-Mini type package |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 对于一般的放大 补充型2SD1819A 特点 高FOWARD电流传输比HFE。 S-迷你型封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
