2SK3064GOLSO 2D 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
30Ω/Ohm @10mA,5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching Features Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. Low-voltage drive (Vth: ?1 to 2V) Low Ron |
| 描述与应用 |
硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET 对于开关的二次电池（锂离子电池等） 特性 硅N沟道MOS FET 二次电池（锂离子电池等） 用于开关 高速开关 S-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。 低电压驱动（VTH：-1至2V） 低Ron |
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