2SD1819A-Q ZQ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~260 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
*Silicon NPN epitaxial planer type *For general amplification *Complementary to 2SB1219 and 2SB1219A Features *l Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) *large DC current gain hFE |
| 描述与应用 |
* NPN硅外延平面型 *对于一般的放大 *互补2SB12192SB1219A 特点 * l低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *大直流电流增益hFE |
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