SI1905BDH-T1-E3 DJX/DJW 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-630mA/-0.63A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
1.2?@ VGS = -1.8V, ID = -200mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45~-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
357mW/0.375W |
| Description & Applications |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES ? Trench FET Power MOSFET APPLICATIONS ? Load Switch for Portable Devices |
| 描述与应用 |
双P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET 特点 ??沟槽FET功率MOSFET 应用 ??用于便携式设备的负载开关 |
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