2SA1832F-GR SG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?150mA/-0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-100mV/-0.1V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
silicon PNP epitaxial type ? High voltage: VCEO = ?50 V ? High current: IC = ?150 mA (max) ? High hFE: hFE = 120 to 400 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = ?0.1 mA)/hFE (IC = ?2 mA) = 0.95 (typ.) ? Complementary to 2SC4738F |
| 描述与应用 |
硅PNP外延型 ?高电压：VCEO=-50 V ?高电流：IC= -150 mA（最大） ?高HFE：HFE=120?400 ?优秀的HFE线性 ??HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）= 0.95（平均值） ?互补2SC4738F |
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