2SC5628XZ-01TR XZ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
80mW |
| Description & Applications |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator Features ? Super compact package; (1.4 × 0.8 × 0.59mm) ? High power gain and low noise figure; (PG = 9 dB, NF = 1.1 dB typ, at f = 900 Mhz, VCE = 1 V) |
| 描述与应用 |
NPN硅外延 高频放大器/振荡器 特点 ?超级紧凑的封装; （1.4×0.8×0.59毫米） ?高功率增益和低噪声系数; NF= 1.1 dB（PG=9分贝，在f =900兆赫，VCE ?= 1 V） |
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