BFN26 FJ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
300V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
70MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
30 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
360mW/0.36W |
| Description & Applications |
NPN Silicon High-Voltage Transistors Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BFN27 (PNP) |
| 描述与应用 |
NPN硅高压晶体管 适合于电视机的视频输出级和 开关电源 高击穿电压 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型：BFN25，BFN27（PNP） |
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