NTR4503NT1G TR3 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.11Ω/Ohm @2.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
730mW/0.73W |
| Description & Applications |
Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N?Channel, SOT?23 ? Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching ? 4.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive ? SOT?23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) ? Pb?Free Package is Available |
| 描述与应用 |
功率MOSFET 30 V，2.5 A单N沟道，SOT-23 ?领先的平面技术，低栅极电荷/快速切换 ?4.5 V额定低电压栅极驱动 ?SOT-23表面贴装小尺寸（3×3毫米） ?无铅包装是可用 |
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