BCX51-16 AD 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
125MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP Silicon AF Transistors ? For AF driver and output stages ? High collector current ? Low collector-emitter saturation voltage ? Complementary types: BCX54...BCX56 (NPN) |
| 描述与应用 |
PNP硅晶体管自动对焦 ?对于AF驱动器和输出级 ?高集电极电流 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?互补类型：BCX54 BCX56（NPN） |
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