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CPH5902G-TL-E
 型号：  CPH5902G-TL-E
 标记/丝印/代码/打字：  RBG
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-153/CPH5/SOT23-5
 批号：  05NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    FET+BJT
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CPH5902G-TL-E RBG 的参数
FET类型 Type JFET N-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 15V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -15V
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance
跨导 Forward Transfer Admittance 38ms@VDS=5V，VGS=0V，f=1kHz
IDSS(Vgs=0V) 10mA~20mA@VDS=5V，VGS=0V
开启电压Vgs（th）/关断电压Vgs（off） Gate-Source Threshold/Cut-off Voltage -0.4V~-1.5V
BJT 类型 Type NPN
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 55V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA/0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 135~400
耗散功率Pd Power Dissipation 850mW/0.85W
Description & Applications TR : NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FET : N-Channel Silicon Junction FET High-Frequency Amplier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifier Applications.
描述与应用 TR：NPN平面外延硅晶体管 场效应管：N沟道硅结型场效应管 高频放大器，AM放大器。 低频放大器应用。
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