BDP32 BDP32 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
60MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.35W |
| Description & Applications |
PNP medium power transistor FEATURES ? High current (max. 3 A) ? Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS ? General purpose medium power applications. |
| 描述与应用 |
PNP中等功率晶体管 特点 ?高电流（最大3 A） ?低电压（最大45 V）。 应用 ?通用中等功率应用 |
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