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BFT46
 型号：  BFT46
 标记/丝印/代码/打字：  M3W
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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BFT46 M3W 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 0.2~1.5ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications ?N-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose amplifiers in thick and thin-film circuits.
描述与应用 ?N沟道硅场效应晶体管说明 对称n沟道硅 外延结型场效应 晶体管在一个超小型的塑料 信封。晶体管的目的 低级别通用 放大器厚薄膜 电路。
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