SMBT3904S 1A 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW |
| Description & Applications |
Features ?NPN Silicon Switching Transistor Array ?High DC current gain: 0.1mA to 100mA ?Low collector-emitter saturation voltage ?Two ( galvanic) internal isolated Transistors with good matching in one package ?Complementary type: SMBT3906S (PNP) |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅开关晶体管阵列 ?高直流电流增益：0.1mA至100mA的 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?两个（电流）的内部分离晶体管在一个封装中具有良好的匹配？ ?互补类型：SMBT3906S（PNP） |
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