MMBT3906LT1 2A 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?200mA/-0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-400mV/-0.4V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
PNP Silicon Switching Transistor ? High DC current gain ? Low collector-emitter saturation voltage ? Complementary to MMBT3904 |
| 描述与应用 |
PNP硅开关晶体管 ?高直流电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?互补型MMBT3904 |
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