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PMBF4393
 型号：  PMBF4393
 标记/丝印/代码/打字：  W6G
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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PMBF4393 W6G 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 40v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -40v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 5~30ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.5~-3v
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications ?N-channel DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film circuits. The transistors are intended for low-power chopper or switching applications in industry.
描述与应用 ?N沟道 说明 对称硅n沟道 耗尽型结型场效应 塑料超小型晶体管 信封用于应用 厚薄膜电路。该 晶体管用于低功耗 斩波器或开关应用 业。
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