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TPC6603
 型号：  TPC6603
 标记/丝印/代码/打字：  H3E
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-163/SM6/SOT-26
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  2990
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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TPC6603 H3E 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -3A
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 200~500
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -190mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 800mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type ? High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = ?0.5 A) ? Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = ?0.19 V (max) ? High-speed switching: tf = 40 ns (typ.) ? Switching Applications ? DC/DC Converter Applications ? Strobe Flash Applications
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型 ?高直流电流增益：HFE=200?500（IC=-0.5） ?低集电极 - 发射极饱和：VCE（星期六）=-0.19 V（最大值） ?高速开关：TF =40 ns（典型值） ?开关应用 ?DC / DC转换器应用 ?闪光灯应用
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
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