ME2306D-G WF 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3.16A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
37mΩ/Ohm @4A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
750mW/0.75W |
| Description & Applications |
RDS(ON)≦85m?@VGS=4.5V RDS(ON)≦115m?@VGS=2.5V RDS(ON)≦135m?@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability |
| 描述与应用 |
超高密度电池设计极低的RD（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力 |
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