2SB1599GQL 1XQ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1000mV/-1V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor For power amplification Complementary to 2SD2457 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Mini Power type package |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 对于功率放大 补充型2SD2457 特点 低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） 迷你功率型封装 |
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