KN2222AS ZGA 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
75V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.6V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. Switching Transistor complement to KN2907AS Low leakage current: ICEX=10nA(max)@VCE=-60V，VEB=3V。 Low Saturation current: VCE=0.3V(max)@Ic=150mA，IB=15mA |
| 描述与应用 |
外延平面NPN晶体管 通用应用。 开关晶体管 对管KN2907AS 低漏电流 低饱和电流 |
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