FZT755TA FZT755 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-150V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?150V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
30MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES Low saturation voltage Excellent hFE COMPLEMENTARY TYPE FZT655 |
| 描述与应用 |
PNP硅平面中等功率晶体管 特点 低饱和电压 优秀HFE 互补型FZT655 |
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