BC857CLT1G 3G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
420~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?650mV/-0.65V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
General Purpose Transistors PNP Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available |
| 描述与应用 |
通用晶体管 PNP硅 特点 ?无铅包可用 |
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