DMP2160U-7 DMF 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
140 mΩ @ VGS = -1.8V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4V~-0.9V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.4W |
| Description & Applications |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET.
* Battery Charging .
* Power Management Functions .
* DC-DC Converters .
* Portable Power Adaptors.
* Low On-Resistance . 75 mΩ @ VGS = -4.5V , 96 mΩ @ VGS = -2.5V , 140 mΩ @ VGS = -1.8V .
* Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V .
* Low Input Capacitance .
* Fast Switching Speed .
* Low Input/Output Leakage. |
| 描述与应用 |
P-沟道增强型MOSFET。
*电池充电。
*电源管理功能。
* DC-DC转换器。
*便携式电源适配器。
*低导通电阻。 75MΩ@ VGS=-4.5V，96MΩ@ VGS=-2.5V，140MΩ@ VGS=-1.8V。
*非常低的栅极阈值电压VGS（TH）≤1V。
*低输入电容。
*开关速度快。
*低输入/输出漏。 |
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