SSM3K123TU KKD 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.028Ω/Ohm @3A,4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.35-1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications ? 1.5 V drive ? Low ON-resistance: |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 电源管理开关应用 高速开关应用 电源管理开关应用 高速开关应用 ?1.5 V驱动器 ?低导通电阻 |
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