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TPCP8202
 型号：  TPCP8202
 标记/丝印/代码/打字：  8202
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  PS-8
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  69000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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TPCP8202 8202 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 5.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 19m?@ VGS = 4.5V, ID = 2.8A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.7~1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.48W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSIV) -Portable Equipment Applications -Motor Drive Applications -DC/DC Converters ? Lead (Pb)-free ? Low drain-source ON-resistance: RDS(ON) = 19 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 20 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max)(VDS = 30 V) ? Enhancement model: Vth = 0.7 to 1.4V (VDS = 10 V, ID = 200 μA)
描述与应用 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOSIV） -便携式设备的应用 -电机驱动应用 -DC/DC转换器 ?低漏源导通电阻RDS（ON）= 19mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|=20 S（典型值） ?低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=30 V） ?增强型号：VTH=0.7?1.4V （VDS=10V，ID=200μA）
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