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BC857S
 型号：  BC857S
 标记/丝印/代码/打字：  3C
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-363
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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BC857S 3C 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -45V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -200mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 200MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 125~630
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -300mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 300mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?PNP多芯片通用放大器
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
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