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BC847PN
 型号:  BC847PN
 标记/丝印/代码/打字:  1P
 厂家:  SIEMENS
 封装:  SOT-363
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+PNP
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BC847PN 1P 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 45V/-45V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/-100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~450
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV
耗散功率Pc Power Dissipation 250mW
Description & Applications Features ? NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays ? For AF input stage and driver applications ? High current gain ? Low collector-emitter saturation voltage ? Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistor in one package ? Pb-free (RoHS compliant) package1) ? Qualified according AEC Q101
描述与应用 特点 ?NPN / PNP硅AF晶体管阵列 ?对于AF输入级和驱动器应用 ?高电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?两个(电流)的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 ?无铅(符合RoHS)包1) ?符合AEC Q101
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