LMBT3946DW1T1G 46 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V/60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-40V/40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-200mA/200mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz/300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-400mV/300mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ? Dual General Purpose Transistors ? hFE, 100–300 ? Low VCE(sat), < 0.4 V ? Simplifies Circuit Design ? Reduces Board Space ? Reduces Component Count ? Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel ? Device Marking: LMBT3946DW1T1G = 46 |
| 描述与应用 |
特点 ?双通用晶体管 ?HFE，100-300 ?低VCE（SAT）<0.4 V ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数量 ?可在8毫米，7寸/3,000组带和卷轴 ?器件标识：LMBT3946DW1T1G= 46 |
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