MBT6429DW1T1 1T 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
55V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
700MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
500~1250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
600mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ? Amplifier Transistors NPN Silicon ? Pb?Free Package is Available |
| 描述与应用 |
特点 ?放大器晶体管NPN硅 ?无铅包装是可用 |
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