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SIB911DK-T1-GE3
 型号：  SIB911DK-T1-GE3
 标记/丝印/代码/打字：  DAW
 厂家：  VISHAY
 封装：  SC75-6L
 批号：  11+NOPB
 库存数量：  57000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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SIB911DK-T1-GE3 DAW 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -2.6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 560m?@ VGS = -1.8V, ID = -180mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4~-1V
耗散功率Pd Power Dissipation 3.1W
Description & Applications Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ? Trench FET Power MOSFET ? New Thermally Enhanced Power PAK SC-70 Package - Small Footprint Area APPLICATIONS ? Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable Devices
描述与应用 双P沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点 ??根据IEC 61249-2-21的无卤素 ??沟槽FET功率MOSFET ??新的耐热增强型电源PAK SC-70封装 - 小占位面积 应用 ??负荷开关，PA，用于便携式设备的开关和电池开关
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