DMN2400UV-7 24N 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±12 V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.33A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
0.65Ω~1.5Ω VGS = 1.5V, ID = 50mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5v~0.9v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
530mw/0.53W
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| Description & Applications |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET.
* Low On-Resistance.
* Low Gate Threshold Voltage.
* Low Input Capacitance.
* Fast Switching Speed .
* Low Input/Output Leakage .
* ESD Protected up to 2kV. |
| 描述与应用 |
双N沟道增强型MOSFET。
*低导通电阻。
*低栅极阈值电压。
*低输入电容。
*开关速度快。
*低输入/输出漏。
*高达2kV的ESD保护。 |
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