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HN1C26FS
 型号：  HN1C26FS
 标记/丝印/代码/打字：  7H
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-963/FS6
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  60000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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HN1C26FS 7H 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 60MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 50mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. ? High voltage : VCEO = 50 V ? High current : IC = 100 mA (max) ? High hFE : hFE = 120 to 400 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT进程） ?两个设备都纳入细间距，小型模具（6针）封装。 ?高电压：VCEO= 50 V ?高电流：IC= 100 mA（最大） ?高HFE：HFE=120?400 ?优秀的HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）=0.95（典型值）
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