HN4A56JU 37 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-150mA/-0.15A |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
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| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
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| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
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| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
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| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
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| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
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| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
60MHz |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)。
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications.
(1) Small Package (Dual Type)
(2) High Voltage and High Current : VCEO= −50V, IC = −150mA(MAX.)
(3) High hFE
(4) Excellent hFE Linearity : hFE (IC = −0.1mA) / hFE (IC = −2mA) = 0.95 (typ.) |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅PNP外延的类型（PCT工艺）。
音频放大器应用的目的。
（1）小包装（双类型）
（2）高电压和高电流：VCEO=50V，IC=电流150mA（最大值）
（3）高hFE
（4）优秀的HFE线性：HFE（IC=-0.1毫安的）/ HFE（IC=-2毫安，）= 0.95（典型值） |
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