SSM6N29TU KK1 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
800mA/0.8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
143m?@ VGS = 4.0V, ID = 600mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4~1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High-Speed Switching Applications ? 1.8 V drive ? N-ch 2-in-1 ? Low ON-resistance: Ron = 235 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 178 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 143 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 ?1.8 V驱动器 ?N沟道2合1 ?低导通电阻：RON= 235MΩ（最大）（@ VGS= 1.8 V） RON=178MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） RON=143MΩ（最大）（@ VGS=4.0 V） |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
