SSM6L11TU K8 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V/12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/-500mA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
145m?@ VGS = 4.0V, ID = 250mA/ 260m?@ VGS = -4V, ID = -250mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.1V/-0.5~-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type High Speed Switching Applications ? Optimum for high-density mounting in small packages ? Low ON-resistance Q1: RDS(ON) = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P/ N沟道MOS类型 高速开关应用 ?最适用于高密度安装在小包装 ?低导通电阻Q1：RDS（ON）=395mΩ（最大）（@ VGS= 1.8 V） Q2：RDS（ON）=430mΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V） |
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