TPCF8302 F5B 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
59m?@ VGS = -4.5V, ID = -1500mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5~-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
530mW/0.53W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 44 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.2 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) ? Enhancement mode: Vth = ?0.5 to ?1.2 V (VDS = ?10 V, ID = ?200 μA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（U-MOS四） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?低漏源导通电阻RDS（ON）= 44mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|=6.2 S（典型值） ?低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） ?增强模式：VTH =-0.5?-1.2 V （VDS= -10 V，ID= -200μA） |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
