2SC2983-Y1 C2983 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) .
Power Amplifier Applications .
Driver Stage Amplifier Applications .
* High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.)
* Complementary to 2SA1225 |
| 描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN外延式（PCT程序）。
功率放大器应用。
驱动级放大器应用。
*高转换频率：FT =100兆赫（典型值）
*互补2SA1225 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
