关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： HD74UH4066 XC6204F R1170H351B 02DZ12-X MIC5365-2.8 2SC5555ZD-03TR S88 2SC5585H PST3620UL ST-2TA S2C MBD330DWT1 PMEG2015EJ R3130N44BC SRFIC103T1 RSZ STM80 ST-2TA103 S91 S913T
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14264)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3757)
 电阻Resistor (4413)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7298)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5942)
 电容Capacitor (1615)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1402)
 未分类 (1992)
 保险管FUSE (978)
 晶优晶振 (171)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 电阻 (5)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 集成收发器 (1)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
2SK2493
 型号：  2SK2493
 标记/丝印/代码/打字：  K2493
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-252
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  2000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买
(Search Stock)		 Send order to our E_mail:
saler28@mark-ic.com

2SK2493 K2493 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±8V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.08Ω~0.12Ω @VGS=2.5V,ID=2.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage Vth = 0.5 to 1.1 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV). Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications. * 2.5-V gate drive. * Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.08 mΩ (typ.). * High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.0 S (typ.). * Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 16 V). * Enhancement mode : Vth = 0.5 to 1.1 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA).
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（π-MOSV）。 斩波稳压器和DC-DC转换器应用。 *2.5-V栅极驱动。 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.08mΩ（典型值）。 *较强的正向转移导纳：YFS|=8.0Ş（典型值）。 *低漏电流IDSS= 100μA（最大值）（VDS=16 V）。 *增强模式：VTH =0.5至1.1 V（VDS=10V，ID= 1毫安）。
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2SK2401 K2401 TOSHIBA 05+ TO-263 150 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2406 K2406 SANYO 05+ TO-252/TP-FA 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2414-Z K2414 NEC 05+ TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2415-Z-E1 K2415 NEC 02+ TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2415-Z-E2 K2415 NEC 05+ TO-252/D-PAK 3200 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK242 T4 SANYO 05+ SOT-23/SC-59/CP 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK242 T4 SANYO 05+ SOT-23/SC-59/CP 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK242 T5 SANYO 05+ SOT-23/SC-59/CP 2710 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2sk2433 k2433 SANYO 05+ TO-252/TP-FA 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2sk2434 k2434 SANYO 05+ TO-263 11990 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2437 KQ SANYO 05+ TO-263 4000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2440 2440 SANYO 05+ SOP8 800 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2463 KC ROHM 05+08NOPB1700 SOT-89/SC-62/MPT3 1950 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2463 kc ROHM 05+ SOT-89/SC-62/MPT3 1000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2491 K2491 shindengen 05+ TO-263 450 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2sk2434 k2434 SANYO 06+ TO-263 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2493 K2493 TOSHIBA 11+ROHS TO-252 2000 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照