DMN66D0LDW-7 MN1ZN 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
115MA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
VGS = 5.0V, ID = 0.115A 6Ω |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250MW |
| Description & Applications |
• Dual N-Channel MOSFET
• Low On-Resistance
• Low Gate Threshold Voltage
• Low Input Capacitance
• Fast Switching Speed
• Small Surface Mount Package
• ESD Protected Gate, 1KV (HBM)
• Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability |
| 描述与应用 |
•双N沟道MOSFET
•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•开关速度快
•小型表面贴装封装
•ESD保护门，1KV（HBM）
•无铅/符合RoHS标准（注2）
•符合AEC-Q101标准的高可靠性 |
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