BCP5110TA BCP5110 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-45v |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
63-160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
• IC = -1A Continuous Collector Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -500mV @ -0.5A
• Gain groups 10 and 16
• Epitaxial Planar Die Construction
• Complementary NPN types: BCP54, 55 and 56
• Lead-Free, RoHS Compliant (Note 1)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Devices (Note 2)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
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| 描述与应用 |
•IC=-1A连续集电极电流
•低饱和电压VCE（sat）的<-500mV@-0.5A
•增益组10和16
•外延平面小片建设
•互补NPN类型：BCP54，55和56
•无铅，符合RoHS（注1）
•无卤素和无锑。 “绿色”设备（注2）
•符合AEC-Q101标准的高可靠性 |
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