2SA1763 FS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?200mA/-0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~140 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-70mV |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
PNP epitaxial planar silicon transistor High speed switching applications Features fast switching speed； low collector saturation voltage； high gain-bandwidth product； small collector capacitance |
| 描述与应用 |
PNP外延平面硅晶体管 高速开关应用 特点 开关速度快; 集电极饱和电压低; 高增益带宽积; 小集电极电容 |
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