2SA1766 AL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?300mA/-0.3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
500~1200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-120mV/-0.12V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
High HFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High VEBO |
| 描述与应用 |
HFE高，低频率通用放大器应用 特点 ?·采用FBET，MBIT过程。 ?·高DC电流增益（电流增益（hFE）=500?1200）。 ?·大电流容量。 ?·低集电极 - 发射极饱和电压。 ?·高VEBO |
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