2SA2060 4G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~500 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar type Applications High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications Features ? High DC current gain. ? Low collector-emitter saturation voltage. ? High-speed switching. |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面型 应用 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 特点 ?高直流电流增益。 ?低集电极 - 发射极饱和电压。 ?高速开关。 |
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