2SA2065 WK 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
125~500 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
0.14V/140mV
|
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type .
High-Speed Switching Applications.
DC-DC Converter Applications.
Strobe Applications .
* High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.15 A) .
* Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.14 V (max) .
* High-speed switching: tf = 37 ns (typ.) |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅PNP外延型。
高速开关应用。
DC-DC转换器应用。
频闪应用。
*高直流电流增益：HFE=200??500（IC= -0.15）。
*低集电极 - 发射极饱和电压VCE（星期六）=-0.14 V（最大值）。
*高速开关：TF=37 ns（典型值）。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
