2SC4983-6 KN6 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
135~600 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<240mV/0.24V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
Features ? PNP/NPN Epitaxial planar Silicon transistor ? Low frequency General purpose Amp application ? large current capacity ? Low collector to emitter saturation voltage |
| 描述与应用 |
特点 ?PNP/ NPN外延平面硅晶体管 ?低频通用放大器应用 ?大电流容量 ?低集电极到发射极饱和电压 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
