2SC4987 B6 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
750MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<250mV/0.25V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Epitaxial planar Silicon transistor ? High speed switching applications ? Fast switching speed ? Low collector saturation voltage ? High gain bandwidth product ? small collector capacitance |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN外延平面硅晶体管 ?高速开关应用 ?开关速度快 ?低集电极饱和电压 ?高增益带宽积 ?集电极小电容 |
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