2SC5713 2C 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<150mV/0.15V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planar type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications ? High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) ? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.15 V (max) ? High-speed switching: tf = 50 ns (typ. |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 ?高直流电流增益：HFE=400?1000（IC= 0.5 A） ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）= 0.15 V（最大值） ?高速开关：TF =50 ns（典型值 |
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