2SC5714 2E 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.15V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.0W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type.
High-Speed Switching Applications.
DC-DC Converter Applications.
Strobe Applications.
*High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A).
* Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.15 V (max).
* High-speed switching: tf = 90 ns (typ.). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。
高速开关应用。
DC-DC转换器应用。
频闪应用。
*高直流电流增益：HFE=400至1000（IC= 0.5 A）。
*低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat）= 0.15 V（最大值）。
*高速开关：TF=90 ns（典型值）。 |
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