|
|
|
|
|
|
|
2SJ314 J314 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-60V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.3Ω @-2.5A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
Features High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High forward Transconductance Avalanche-proof |
| 描述与应用 |
高速开关 低导通电阻 无二次击穿 低动力 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ314 |
J314 |
FUJI |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ315 |
J315 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-252/DPAK |
700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ315 |
J315 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-252/DPAK |
50 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ316 |
JG |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ316 |
JG |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ317NY |
NY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
1000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ317NY |
NY |
HITACHI |
05+ROHS |
SOT-89/SC-62/UPAK |
1200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ318STR |
J318 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/DPAK |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
|
|
|
