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2SJ355 PQ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.26Ω @-1A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
FEATURES ? Can be directly driven by 5-V IC ? Low ON resistance RDS(on) = 0.60 ? MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A RDS(on) = 0.35 ? MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A |
| 描述与应用 |
?可直接驱动5-V IC ?低导通电阻 RDS（ON）= 0.60Ω最大。 @ VGS=-4 V，ID= -1.0à RDS（ON）= 0.35Ω最大。 @ VGS=-10V，ID=-1.0 A |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ355 |
PQ |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ355 |
PQ |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
45 |
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| 2SJ356 |
PR |
NEC |
06+ |
SOT-89/SC-62 |
0 |
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| 2SJ356 |
PR |
NEC |
07NOPB |
SOT-89/SC-62 |
0 |
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05+ |
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UA2 |
NEC |
05+ |
SC-84 |
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| 2SJ358 |
UA2 |
NEC |
05+ |
SC-84 |
2000 |
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