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2SJ356 PR 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.41Ω @-1A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
Description & Applications |
FEATURES ? Can be directly driven by 5-V IC ? Low ON resistance RDS(on) = 0.60 ? MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A RDS(on) = 0.35 ? MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A |
描述与应用 |
?可直接驱动5-V IC ?低导通电阻 RDS(ON)= 0.60Ω最大。 @ VGS=-4 V,ID= -1.0à RDS(ON)= 0.35Ω最大。 @ VGS=-10V,ID=-1.0 A |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SJ355 |
PQ |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ355 |
PQ |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
45 |
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2SJ356 |
PR |
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06+ |
SOT-89/SC-62 |
0 |
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PR |
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07NOPB |
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2SJ358 |
UA2 |
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05+ |
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2000 |
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